存储器阵列器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110660409.6

申请日：

2021-06-15

公开(公告)号：

CN113471357A

公开(公告)日：

2021-10-01

发明(设计)人：

尹煜峰彭泰彦张安胜蔡瀚霆傅强林仲德

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L4308

IPC分类号：

H01L4312 H01L2722

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20210615
2021-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

存储器阵列器件及其制造方法 [P].

尹煜峰 ;

彭泰彦 ;

张安胜 ;

蔡瀚霆 ;

傅强 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113471357B ,2024-08-13

[2]

存储器件、存储器阵列结构及其制造方法 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN107564561B ,2018-01-09

[3]

存储器件、存储器阵列及其制造方法 [P].

康晋锋 ;

于洪宇 ;

高滨 .

中国专利 :CN103137861A ,2013-06-05

[4]

存储器器件及其制造方法 [P].

杨柏峰 ;

王圣祯 ;

杨世海 ;

林佑明 ;

马礼修 ;

贾汉中 .

中国专利 :CN113380850B ,2024-08-16

[5]

存储器器件及其制造方法 [P].

杨柏峰 ;

王圣祯 ;

杨世海 ;

林佑明 ;

马礼修 ;

贾汉中 .

中国专利 :CN113380850A ,2021-09-10

[6]

存储器单元阵列及其制造方法 [P].

V·C·杰普拉卡斯 ;

M·塞茨 ;

N·阿尔诺德 .

中国专利 :CN100338762C ,2005-08-03

[7]

半导体器件及其制造方法、存储器阵列 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113540147A ,2021-10-22

[8]

存储器件及其制造方法 [P].

后藤贤一 ;

林仲德 ;

马礼修 .

中国专利 :CN113140588A ,2021-07-20

[9]

存储器件及其制造方法 [P].

后藤贤一 ;

林仲德 ;

马礼修 .

中国专利 :CN113140588B ,2024-09-13

[10]

存储器器件及其制造方法 [P].

游力瑾 ;

张盟昇 .

中国专利 :CN119156003A ,2024-12-17

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