半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510039267.6

申请日：

2015-01-27

公开(公告)号：

CN104810365B

公开(公告)日：

2015-07-29

发明(设计)人：

吉田浩介新田哲也

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2910

IPC分类号：

H01L2906 H01L2978 H01L27092 H01L21336

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

欧阳帆

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/10 申请日:20150127 授权公告日:20190719 终止日期:20210127
2015-10-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722621137 IPC(主分类):H01L 27/04 专利申请号:2015100392676 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本东京
2019-07-19	授权	授权
2015-07-29	公开	公开
2017-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101699570502 IPC(主分类):H01L 27/04 专利申请号:2015100392676 申请日:20150127

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

纐纈洋章 ;

东雅彦 .

中国专利 :CN101167180A ,2008-04-23

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

彭仕敏 .

中国专利 :CN107689319A ,2018-02-13

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

林治平 ;

庄璧光 ;

张弘立 ;

陈世明 ;

杨晓莹 .

中国专利 :CN101552235B ,2009-10-07

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

恩凯特·库马 ;

李家豪 .

中国专利 :CN111146284A ,2020-05-12

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

郑泰雄 .

中国专利 :CN101312188A ,2008-11-26

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

禹国宾 ;

徐小平 .

中国专利 :CN108109900B ,2018-06-01

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

松下大介 ;

村冈浩一 ;

中崎靖 ;

加藤弘一 ;

清水敬 .

中国专利 :CN1819261A ,2006-08-16

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

纐纈洋章 ;

保坂真弥 .

中国专利 :CN100552921C ,2008-01-09

[9]

半导体装置制造方法及半导体装置 [P].

塚本明子 ;

长谷川尚 ;

小山内润 .

中国专利 :CN101083228B ,2007-12-05

[10]

半导体装置的制造方法、半导体装置 [P].

西泽弘一郎 ;

清井明 .

中国专利 :CN106663615A ,2017-05-10

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