半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811302600.8

申请日：

2018-11-02

公开(公告)号：

CN111146284A

公开(公告)日：

2020-05-12

发明(设计)人：

恩凯特·库马李家豪

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王涛;任默闻

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-12	公开	公开
2020-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20181102

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

新田哲也 ;

凑忠玄 ;

上西明夫 .

中国专利 :CN1279822A ,2001-01-10

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

西部荣次 ;

菊地修一 ;

丸山孝男 .

中国专利 :CN1251330C ,2001-10-17

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

鲁鸿飞 ;

神保信一 .

中国专利 :CN100587966C ,2008-02-27

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

柳田正道 ;

久保博稔 ;

东条润一郎 ;

斋藤洋明 ;

恩田全人 .

中国专利 :CN1773724A ,2006-05-17

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉田浩介 ;

新田哲也 .

中国专利 :CN104810365B ,2015-07-29

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

加藤浩朗 ;

稻田充郎 ;

白石达也 ;

西胁达也 ;

小林研也 .

中国专利 :CN112447847A ,2021-03-05

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

泽田和幸 ;

原田裕二 ;

庭山雅彦 ;

金子佐一郎 ;

清水克美 .

中国专利 :CN101510558A ,2009-08-19

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

佐山康之 ;

冈田哲也 ;

及川慎 ;

石田裕康 ;

栉山和成 .

中国专利 :CN100536166C ,2006-09-20

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

莫尼卡·巴提 ;

陈柏安 .

中国专利 :CN114188269A ,2022-03-15

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

莫尼卡·巴提 ;

陈柏安 .

中国专利 :CN114188269B ,2025-11-25

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