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半导体装置及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110630629.4
申请日：
2021-06-07
公开(公告)号：
CN114188269A
公开(公告)日：
2022-03-15
发明(设计)人：
莫尼卡·巴提
陈柏安
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹科学工业园区
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
侯天印;郝博
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-03-15 | 公开 | 公开 |
| 2022-04-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20210607 |