半导体装置及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN02140656.1
申请日
2002-07-12
公开(公告)号
CN1184670C
公开(公告)日
2003-02-19
发明(设计)人
松本和已
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
H01L21768
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
马铁良;叶恺东
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
佐藤好弘 ;
小川久 .
中国专利 :CN1956186A ,2007-05-02
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
吴珑虎 .
中国专利 :CN101192541A ,2008-06-04
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
杨佳琦 ;
赵杰 .
中国专利 :CN108630519A ,2018-10-09
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
堤香里 ;
福原成太 ;
江泽弘和 .
中国专利 :CN1381890A ,2002-11-27
[5]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
关川宏昭 .
中国专利 :CN107546237A ,2018-01-05
[6]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
和山弘 ;
望月千织 ;
渡边实 ;
横山启吾 ;
大藤将人 ;
川锅润 ;
藤吉健太郎 .
中国专利 :CN102683367A ,2012-09-19
[7]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
泉隆史 ;
籏崎晃次 ;
中岛绅伍 .
中国专利 :CN115411047A ,2022-11-29
[8]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
吉田拓弥 ;
高野和丰 .
日本专利 :CN120035195A ,2025-05-23
[9]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
塚本和宏 .
中国专利 :CN1201393C ,2003-04-16
[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
赖二琨 ;
施彦豪 .
中国专利 :CN101452890B ,2009-06-10