半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02120640.6

申请日：

2002-03-28

公开(公告)号：

CN1381890A

公开(公告)日：

2002-11-27

发明(设计)人：

堤香里福原成太江泽弘和

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2352

IPC分类号：

H01L23532 H01L21768

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

罗亚川

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-08-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101004438262 IPC(主分类):H01L 23/52 专利号:ZL021206406 申请日:20020328 授权公告日:20050406
2002-11-27	公开	公开
2005-04-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法 [P].

饭田伊豆雄 .

中国专利 :CN1901164A ,2007-01-24

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

石田雅宏 .

中国专利 :CN1229280A ,1999-09-22

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

泉隆史 ;

籏崎晃次 ;

中岛绅伍 .

中国专利 :CN115411047A ,2022-11-29

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

堤聪明 ;

奥平智仁 ;

柏原庆一朗 ;

山口直 .

中国专利 :CN101090116A ,2007-12-19

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

佐藤好弘 ;

工藤千秋 .

中国专利 :CN1933158A ,2007-03-21

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN1819267A ,2006-08-16

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

松本和已 .

中国专利 :CN1184670C ,2003-02-19

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

关川宏昭 .

中国专利 :CN107546237A ,2018-01-05

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉村充弘 .

中国专利 :CN111755518A ,2020-10-09

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

河野凉一 ;

窪内源宜 .

日本专利 :CN117712153A ,2024-03-15

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