半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810096286.2
申请日
2008-05-08
公开(公告)号
CN101452890B
公开(公告)日
2009-06-10
发明(设计)人
赖二琨 施彦豪
申请人
申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
IPC主分类号
H01L218247
IPC分类号
H01L2131 H01L27115
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
周国城
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
金晟泰 ;
崔寿汉 .
中国专利 :CN1039559C ,1991-05-22
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
松本和已 .
中国专利 :CN1184670C ,2003-02-19
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
陈志谚 ;
洪章响 .
中国专利 :CN111668302A ,2020-09-15
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
莫尼卡·巴提 ;
陈柏安 .
中国专利 :CN114188269A ,2022-03-15
[5]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
申云洪 .
中国专利 :CN120690744A ,2025-09-23
[6]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
莫尼卡·巴提 ;
陈柏安 .
中国专利 :CN114188269B ,2025-11-25
[7]
半导体晶体衬底、半导体装置及其制造方法 [P]. 
苫米地秀一 ;
小谷淳二 ;
中村哲一 .
中国专利 :CN103715081A ,2014-04-09
[8]
半导体装置结构及其制造方法 [P]. 
黄钲谦 ;
江宗育 .
中国专利 :CN109148277A ,2019-01-04
[9]
半导体装置结构及其制造方法 [P]. 
黄钲谦 ;
江宗育 .
中国专利 :CN114864679A ,2022-08-05
[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
野田耕生 ;
佐藤奈奈绘 .
中国专利 :CN102522430B ,2012-06-27