高压半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710231433.1

申请日：

2017-04-11

公开(公告)号：

CN108695386B

公开(公告)日：

2018-10-23

发明(设计)人：

林志威邱柏豪林庚谕

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王涛;贾磊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20170411
2018-10-23	公开	公开
2021-09-28	授权	授权

共 50 条

[1]

高压半导体装置及其制造方法 [P].

罗宗仁 ;

刘兴潮 ;

陈巨峰 ;

周苇俊 .

中国专利 :CN105789280B ,2016-07-20

[2]

高压半导体装置及其制造方法 [P].

罗宗仁 ;

刘兴潮 ;

陈巨峰 ;

周苇俊 .

中国专利 :CN105529362A ,2016-04-27

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫崎正行 ;

吉村尚 ;

泷下博 ;

栗林秀直 .

中国专利 :CN103999225A ,2014-08-20

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

林治平 ;

庄璧光 ;

张弘立 ;

陈世明 ;

杨晓莹 .

中国专利 :CN101552235B ,2009-10-07

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

恩凯特·库马 ;

李家豪 .

中国专利 :CN111146284A ,2020-05-12

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

莫尼卡·巴提 ;

陈柏安 .

中国专利 :CN114188269A ,2022-03-15

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

莫尼卡·巴提 ;

陈柏安 .

中国专利 :CN114188269B ,2025-11-25

[8]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

王仲盛 ;

王文智 ;

蒯照 .

中国专利 :CN119133250A ,2024-12-13

[9]

高压半导体器件及其制造方法 [P].

王仲盛 ;

王文智 ;

蒯照 .

中国专利 :CN119133250B ,2025-12-02

[10]

高压半导体装置及其制造方法 [P].

林志威 ;

庄璧光 ;

吴昭纬 .

中国专利 :CN106611785B ,2017-05-03

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