半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380004323.1

申请日：

2013-01-18

公开(公告)号：

CN103999225A

公开(公告)日：

2014-08-20

发明(设计)人：

宫崎正行吉村尚泷下博栗林秀直

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

金玉兰;韩明星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-20	公开	公开
2017-02-22	授权	授权
2014-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586962942 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2013800043231 申请日:20130118

共 50 条

[1]

高压半导体装置及其制造方法 [P].

林志威 ;

邱柏豪 ;

林庚谕 .

中国专利 :CN108695386B ,2018-10-23

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

许俊豪 ;

姚亮吉 ;

官大明 .

中国专利 :CN102129979A ,2011-07-20

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

陈志谚 .

中国专利 :CN112310189A ,2021-02-02

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

荒川和树 ;

住友正清 ;

松井正树 ;

樋口安史 ;

小山和博 .

中国专利 :CN104160512B ,2014-11-19

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

南志昌 .

中国专利 :CN103295910B ,2013-09-11

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

张雄世 ;

张睿钧 ;

黄志仁 .

中国专利 :CN104979382A ,2015-10-14

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

福井刚 .

中国专利 :CN104916614A ,2015-09-16

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

新田哲也 ;

凑忠玄 ;

上西明夫 .

中国专利 :CN1279822A ,2001-01-10

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

内山泰宏 ;

荒井伸也 ;

坂田晃一 ;

冨松孝宏 .

中国专利 :CN111668206A ,2020-09-15

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

童宇诚 ;

张钦福 .

中国专利 :CN114784091A ,2022-07-22

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