半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410131272.5

申请日：

2014-04-02

公开(公告)号：

CN104979382A

公开(公告)日：

2015-10-14

发明(设计)人：

张雄世张睿钧黄志仁

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

汤在彦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101633315826 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2014101312725 申请日:20140402
2015-10-14	公开	公开
2018-07-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/423 申请公布日:20151014

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

水上诚 ;

铃木拓马 .

中国专利 :CN104916707B ,2015-09-16

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

三沢宽人 ;

奥村秀树 .

中国专利 :CN103165655A ,2013-06-19

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

林鑫成 ;

杜尚晖 ;

胡钰豪 ;

林文新 .

中国专利 :CN105321988B ,2016-02-10

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

马洛宜·库马 ;

皮约诺·苏里彦托 ;

李家豪 ;

施路迪 ;

杜尚晖 .

中国专利 :CN104979381B ,2015-10-14

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

柳泽晓 ;

镰田周次 .

中国专利 :CN102201438A ,2011-09-28

[6]

半导体元件、半导体装置、及其制造方法 [P].

庭山雅彦 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN103548142A ,2014-01-29

[7]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102804414B ,2012-11-28

[8]

半导体基底、半导体装置及其制造方法 [P].

酒井士郎 .

中国专利 :CN102754225B ,2012-10-24

[9]

半导体装置及其半导体装置的制造方法 [P].

金本启 ;

冈秀明 .

中国专利 :CN1964046A ,2007-05-16

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

岸本裕幸 ;

加藤浩朗 ;

西口俊史 ;

下村纱矢 ;

富田幸太 .

中国专利 :CN113053994A ,2021-06-29

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