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半导体装置及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910680538.4
申请日：
2019-07-26
公开(公告)号：
CN112310189A
公开(公告)日：
2021-02-02
发明(设计)人：
陈志谚
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹科学园区
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2941
H01L21335
H01L29778
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
王天尧;任默闻
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-02-02 | 公开 | 公开 |
| 2021-02-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190726 |