半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010107193.6

申请日：

2020-02-21

公开(公告)号：

CN112447847A

公开(公告)日：

2021-03-05

发明(设计)人：

加藤浩朗稻田充郎白石达也西胁达也小林研也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2940 H01L29423

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

刘英华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200221
2021-03-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

柳泽晓 ;

镰田周次 .

中国专利 :CN102201438A ,2011-09-28

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

加藤浩朗 ;

小林研也 ;

西胁达也 .

日本专利 :CN112510084B ,2024-12-03

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

泽田和幸 ;

原田裕二 ;

庭山雅彦 ;

金子佐一郎 ;

清水克美 .

中国专利 :CN101510558A ,2009-08-19

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

三沢宽人 ;

奥村秀树 .

中国专利 :CN103165655A ,2013-06-19

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

西部荣次 ;

菊地修一 ;

丸山孝男 .

中国专利 :CN1251330C ,2001-10-17

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

加藤浩朗 ;

小林研也 ;

西胁达也 .

中国专利 :CN112510084A ,2021-03-16

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

岸本裕幸 ;

加藤浩朗 ;

西口俊史 ;

下村纱矢 ;

富田幸太 .

中国专利 :CN113053994A ,2021-06-29

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

小林仁 .

中国专利 :CN103000690A ,2013-03-27

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

鸟居克行 ;

杉山欣二 .

中国专利 :CN101842903A ,2010-09-22

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

加藤浩朗 ;

下村纱矢 ;

马场祥太郎 ;

稻田充郎 ;

吉田裕史 ;

河井康宏 .

中国专利 :CN115020493A ,2022-09-06

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