氮化物半导体模板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610982484.3

申请日：

2012-08-15

公开(公告)号：

CN106409664A

公开(公告)日：

2017-02-15

发明(设计)人：

今野泰一郎藤仓序章松田三智子

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

C23C16448 H01L2906 H01L3302

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

钟晶;陈彦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101707258202 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2016109824843 申请日:20120815
2017-02-15	公开	公开
2020-05-12	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155278B ,2018-06-12

[2]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155279A ,2018-06-12

[3]

氮化物半导体模板、氮化物半导体模板的制造方法以及氮化物半导体自支撑基板的制造方法 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 .

中国专利 :CN109312491A ,2019-02-05

[4]

氮化物半导体 [P].

井上雄史 ;

小河淳 ;

伊藤伸之 ;

寺口信明 .

中国专利 :CN105637620A ,2016-06-01

[5]

氮化物半导体元件及氮化物半导体装置 [P].

方韬钧 .

日本专利 :CN117913087A ,2024-04-19

[6]

氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片 [P].

彦坂年辉 ;

吉田学史 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104779329A ,2015-07-15

[7]

氮化物半导体装置及氮化物半导体模块 [P].

舘毅 .

日本专利 :CN118676196A ,2024-09-20

[8]

氮化物半导体装置、氮化物半导体衬底以及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

出来真斗 ;

陆顺 ;

天野浩 ;

本田善央 ;

田中敦之 ;

伊藤佑太 .

日本专利 :CN117716509A ,2024-03-15

[9]

氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法 [P].

吉田学史 ;

彦坂年辉 ;

原田佳幸 ;

杉山直治 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103682009A ,2014-03-26

[10]

氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法 [P].

彦坂年辉 ;

原田佳幸 ;

吉田学史 ;

杉山直治 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103839979B ,2014-06-04

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