浅沟槽隔离结构的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910201189.X

申请日：

2009-12-15

公开(公告)号：

CN102097356B

公开(公告)日：

2011-06-15

发明(设计)人：

李敏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-15	公开	公开
2012-12-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101486567620 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:200910201189X 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121114
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096109383 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:200910201189X 申请日:20091215
2013-03-27	授权	授权

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离结构的制作方法 [P].

王津洲 ;

高大为 .

中国专利 :CN101728308A ,2010-06-09

[2]

浅沟槽隔离结构的制作方法 [P].

何永根 ;

陈勇 .

中国专利 :CN102122630A ,2011-07-13

[3]

浅沟槽隔离结构的制作方法 [P].

倪百兵 ;

刘焕新 .

中国专利 :CN101728307A ,2010-06-09

[4]

浅沟槽隔离结构的制作方法 [P].

韦庆松 ;

彭树根 .

中国专利 :CN102456607A ,2012-05-16

[5]

浅沟槽隔离结构的制作方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN103295950B ,2013-09-11

[6]

浅沟槽隔离结构及其制作方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN102122628B ,2011-07-13

[7]

浅沟槽隔离结构的制作方法 [P].

宋振伟 ;

徐友峰 ;

陈晋 .

中国专利 :CN103839868A ,2014-06-04

[8]

浅沟槽隔离结构的制作方法 [P].

张明华 ;

严钧华 ;

黄耀东 ;

方精训 ;

彭树根 .

中国专利 :CN103199052A ,2013-07-10

[9]

浅沟槽隔离结构的制作方法 [P].

张明华 ;

严钧华 ;

黄耀东 ;

方精训 ;

彭树根 .

中国专利 :CN103236416A ,2013-08-07

[10]

浅沟槽隔离结构的制作方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN102487034A ,2012-06-06

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