一种多孔氧化物薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811073083.1

申请日：

2018-09-14

公开(公告)号：

CN109306451A

公开(公告)日：

2019-02-05

发明(设计)人：

杨为家刘艳怡王诺媛何鑫陈柏桦蒋庭辉刘俊杰刘铭全沈耿哲

申请人：

申请人地址：

529000 广东省江门市蓬江区东成村22号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1435 C23C1458

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

梁嘉琦

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 14/08 申请公布日:20190205
2019-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/08 申请日:20180914
2019-02-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种透明铜钨氧化物薄膜的制备方法 [P].

孙浩亮 ;

李子怡 ;

张梦冉 ;

魏明 ;

谢尊严 ;

刘丹丹 ;

张弛 ;

秦浩 ;

唐赞 ;

张颖 .

中国专利 :CN119710599A ,2025-03-28

[2]

一种纳米片/纳米微球修饰的多孔氧化物薄膜的制备方法及多孔氧化物薄膜 [P].

杨为家 ;

王凤鸣 ;

关则毅 ;

何鑫 ;

辛月 .

中国专利 :CN111910178A ,2020-11-10

[3]

一种阵列式多孔氧化物薄膜的制备方法 [P].

杨为家 ;

王凤鸣 ;

贺鹏宇 ;

何鑫 ;

王忆 .

中国专利 :CN111185349B ,2020-05-22

[4]

一种氧化物薄膜的制备方法、氧化物薄膜及其应用 [P].

姚蕾 ;

刘国栋 ;

丁早晖 .

中国专利 :CN117364042A ,2024-01-09

[5]

一种P型金属氧化物薄膜的制备方法 [P].

赵铭杰 ;

李海城 .

中国专利 :CN118460959A ,2024-08-09

[6]

一种氧化物薄膜衬底、氧化物薄膜及其制备方法 [P].

陈德杨 ;

尹小哲 ;

邓雄 ;

陈超 ;

孙菲 .

中国专利 :CN110408888A ,2019-11-05

[7]

一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜 [P].

杨振怀 ;

郭远军 ;

卫红 ;

胡琅 ;

胡强 ;

肖永能 ;

刘宏 ;

郭可升 .

中国专利 :CN114561617A ,2022-05-31

[8]

一种氧化物薄膜的制备方法 [P].

罗建恒 .

中国专利 :CN112376024B ,2021-02-19

[9]

金属氧化物薄膜的制备方法 [P].

李言荣 ;

陶伯万 ;

陈寅 ;

刘兴钊 ;

朱俊 ;

吴传贵 ;

吴健 .

中国专利 :CN100469940C ,2006-03-01

[10]

金属氧化物薄膜的制备方法 [P].

彭钊 .

中国专利 :CN111088484A ,2020-05-01

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