一种透明铜钨氧化物薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510009772.X

申请日：

2025-01-03

公开(公告)号：

CN119710599A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

孙浩亮李子怡张梦冉魏明谢尊严刘丹丹张弛秦浩唐赞张颖

申请人：

河南科技大学

申请人地址：

471000 河南省洛阳市涧西区西苑路48号

IPC主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/08

代理机构：

洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120

代理人：

孙亚丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河南省洛阳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20250103
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

王革 ;

李媛媛 ;

彭铮 ;

彭德香 ;

王文静 .

中国专利 :CN102544233A ,2012-07-04

[2]

一种多孔氧化物薄膜的制备方法 [P].

杨为家 ;

刘艳怡 ;

王诺媛 ;

何鑫 ;

陈柏桦 ;

蒋庭辉 ;

刘俊杰 ;

刘铭全 ;

沈耿哲 .

中国专利 :CN109306451A ,2019-02-05

[3]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

陈剑辉 ;

李锋 ;

沈燕龙 ;

赵文超 ;

李高非 ;

胡志岩 ;

熊景峰 ;

宋登元 .

中国专利 :CN103147041A ,2013-06-12

[4]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

刘铭全 .

中国专利 :CN119730486A ,2025-03-28

[5]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

崔鸽 ;

董刚强 ;

李沅民 ;

谭钦 .

中国专利 :CN111446149A ,2020-07-24

[6]

多晶掺钨氧化锡透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

张群 ;

黄延伟 ;

李桂峰 .

中国专利 :CN101413099A ,2009-04-22

[7]

一种透明导电氧化物薄膜制备设备 [P].

王凯 ;

姚栋 .

中国专利 :CN201339060Y ,2009-11-04

[8]

钯钴氧化物薄膜、铜铁矿型氧化物薄膜、具有铜铁矿型氧化物薄膜的肖特基电极、钯钴氧化物薄膜的制备方法及铜铁矿型氧化物薄膜的制备方法 [P].

原田尚之 ;

政广泰 .

日本专利 :CN119563044A ,2025-03-04

[9]

一种透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

徐东 ;

徐永 ;

任昌义 .

中国专利 :CN102646759B ,2012-08-22

[10]

一种透明导电氧化物薄膜制备设备及方法 [P].

王凯 ;

姚栋 .

中国专利 :CN101509126A ,2009-08-19

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