脉冲放电沉积制备类金刚石薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110093123.0

申请日：

2011-03-30

公开(公告)号：

CN102732851A

公开(公告)日：

2012-10-17

发明(设计)人：

陈伟

申请人：

申请人地址：

225500 江苏省姜堰市姜堰镇罗塘东路112号

IPC主分类号：

C23C1627

IPC分类号：

C23C16515

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-17	公开	公开
2014-11-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101707449865 IPC(主分类):C23C 16/27 专利申请号:2011100931230 申请公布日:20121017

共 50 条

[1]

类金刚石薄膜制备方法 [P].

庄严 .

中国专利 :CN101319324A ,2008-12-10

[2]

二步法脉冲沉积制备高密度类金刚石薄膜的方法 [P].

陈伟 .

中国专利 :CN102776485A ,2012-11-14

[3]

制备金刚石和类金刚石薄膜的方法 [P].

马志斌 ;

汪建华 .

中国专利 :CN1410590A ,2003-04-16

[4]

类金刚石薄膜的沉积设备 [P].

阮志明 ;

潘旋 ;

曾德强 ;

廖生 ;

钟俊超 ;

谭安平 ;

张晓柳 ;

阮炯城 ;

聂海天 .

中国专利 :CN206916216U ,2018-01-23

[5]

柱塞表面类金刚石薄膜批量化沉积方法 [P].

张俊彦 ;

张斌 .

中国专利 :CN103866251B ,2014-06-18

[6]

金属表面镀制类金刚石薄膜的方法 [P].

陈伟 .

中国专利 :CN103510053A ,2014-01-15

[7]

新型类金刚石薄膜沉积工艺 [P].

赵跃 .

中国专利 :CN1590584A ,2005-03-09

[8]

类金刚石薄膜低温沉积装置 [P].

范思大 ;

张帅 ;

张孝蹯 ;

陆杰 ;

杨家强 ;

崔虎山 ;

许开东 .

中国专利 :CN223633461U ,2025-12-05

[9]

基于类金刚石薄膜中间层的纳米金刚石薄膜制备方法 [P].

汪琳 ;

李泰然 ;

姜亦杨 ;

黄健 ;

王林军 .

中国专利 :CN109811303A ,2019-05-28

[10]

类金刚石薄膜镀膜方法 [P].

颜士杰 .

中国专利 :CN1796592A ,2006-07-05

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