埋入式栅极结构及其制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN201910964559.9
申请日
2019-10-11
公开(公告)号
CN112652528B
公开(公告)日
2021-04-13
发明(设计)人
不公告发明人
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L213065
IPC分类号
H01L2128 H01L29423
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
汪洁丽
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
埋入式字线结构及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108899309A ,2018-11-27
[2]
一种埋入式栅极结构及其制造方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN110911476B ,2024-05-14
[3]
一种埋入式栅极结构及其制造方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110911476A ,2020-03-24
[4]
埋入式栅极结构的制备方法及埋入式栅极结构 [P]. 
宛伟 .
中国专利 :CN113643971A ,2021-11-12
[5]
一种埋入式栅极结构 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208706657U ,2019-04-05
[6]
栅极堆叠结构及其制作方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN102386217B ,2012-03-21
[7]
栅极的制作方法 [P]. 
周军 .
中国专利 :CN102931069A ,2013-02-13
[8]
金属栅极结构及其制作方法 [P]. 
郑存闵 ;
何念葶 ;
陈健豪 ;
张净云 ;
黄信富 ;
蔡旻錞 ;
孙启原 ;
许启茂 .
中国专利 :CN104425575A ,2015-03-18
[9]
垂直栅极结构及其制作方法 [P]. 
谢颂康 ;
吕亚冰 ;
荆泉 ;
陈力钧 .
中国专利 :CN120857583A ,2025-10-28
[10]
埋入式位线结构及其制作方法、半导体结构 [P]. 
冯伟 ;
卢经文 ;
朱柄宇 ;
崔兆培 .
中国专利 :CN113594097A ,2021-11-02