垂直栅极结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511044622.9

申请日：

2025-07-28

公开(公告)号：

CN120857583A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

谢颂康吕亚冰荆泉陈力钧

申请人：

上海华力微电子有限公司

申请人地址：

201314 上海市浦东新区良腾路6号

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D64/27

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

钟玉敏

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250728

共 50 条

[1]

金属栅极结构及其制作方法 [P].

郑存闵 ;

何念葶 ;

陈健豪 ;

张净云 ;

黄信富 ;

蔡旻錞 ;

孙启原 ;

许启茂 .

中国专利 :CN104425575A ,2015-03-18

[2]

栅极堆叠结构及其制作方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN102386217B ,2012-03-21

[3]

栅极制作方法 [P].

周思敏 ;

陈守钧 .

中国专利 :CN111477590A ,2020-07-31

[4]

多层堆栈栅极结构及其制作方法 [P].

马谛尔斯·高尔德巴 ;

法蓝克·雅库波斯其 ;

蓝夫·库波 ;

赖朝文 ;

克莉丝汀·舒波克 ;

密夏·舒密特 ;

黄承智 .

中国专利 :CN100377307C ,2006-01-04

[5]

埋入式栅极结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112652528B ,2021-04-13

[6]

栅极结构的制作方法 [P].

朱梦媚 ;

尹记红 ;

许宗能 .

中国专利 :CN115332060B ,2022-11-11

[7]

栅极结构的制作方法 [P].

张静 ;

许宗能 ;

牛龙 .

中国专利 :CN115332061A ,2022-11-11

[8]

栅极的制作方法 [P].

周军 .

中国专利 :CN102931069A ,2013-02-13

[9]

SONOS结构及其制作方法 [P].

苟鸿雁 ;

吴小利 ;

唐树澍 .

中国专利 :CN102280377A ,2011-12-14

[10]

双重图形栅极及其制作方法 [P].

邱靖尧 ;

郑名廷 .

中国专利 :CN119764167A ,2025-04-04

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