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双重图形栅极及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411989422.6
申请日：
2024-12-31
公开(公告)号：
CN119764167A
公开(公告)日：
2025-04-04
发明(设计)人：
邱靖尧
郑名廷
申请人：
重庆芯联微电子有限公司
申请人地址：
401331 重庆市沙坪坝区高新区西永街道西永大道28-2号SOHO楼601-A153
IPC主分类号：
H01L21/28
IPC分类号：
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
罗泳文
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-04-04 | 公开 | 公开 |
| 2025-04-22 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20241231 |