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一种自对准双重图形制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010521377.7
申请日：
2020-06-10
公开(公告)号：
CN113782419B
公开(公告)日：
2025-03-18
发明(设计)人：
邱岩栈 陈颖儒 刘立尧 胡展源
申请人：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号：
H01L21/033
IPC分类号：
H01L21/304 H10D30/01 H10D30/62
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
戴广志
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-18 授权 授权
共 50 条
[1]
一种自对准双重图形制作方法 [P]. 
邱岩栈 ;
陈颖儒 ;
刘立尧 ;
胡展源 .
中国专利 :CN113782419A ,2021-12-10
[2]
自对准双重图形化方法 [P]. 
胡华勇 .
中国专利 :CN103681293B ,2014-03-26
[3]
自对准双重图形化半导体结构的制作方法 [P]. 
叶滋婧 .
中国专利 :CN109841503A ,2019-06-04
[4]
一种自对准双重图形成像方法 [P]. 
张利斌 ;
韦亚一 .
中国专利 :CN106200272A ,2016-12-07
[5]
自对准双重图形化的方法 [P]. 
郭晓波 .
中国专利 :CN109860030B ,2019-06-07
[6]
自对准双重图形的形成方法 [P]. 
祖延雷 ;
胡华勇 ;
林益世 .
中国专利 :CN103681234A ,2014-03-26
[7]
自对准双重图形的形成方法 [P]. 
沈满华 ;
祖延雷 .
中国专利 :CN103839783B ,2014-06-04
[8]
实现自对准型双重图形的方法 [P]. 
王新鹏 ;
张海洋 .
中国专利 :CN103578932B ,2014-02-12
[9]
自对准双重图形的形成方法 [P]. 
沈满华 .
中国专利 :CN103632928A ,2014-03-12
[10]
双重图形栅极及其制作方法 [P]. 
邱靖尧 ;
郑名廷 .
中国专利 :CN119764167A ,2025-04-04
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