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多层堆栈栅极结构及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200510078077.1
申请日
:
2005-06-14
公开(公告)号
:
CN100377307C
公开(公告)日
:
2006-01-04
发明(设计)人
:
马谛尔斯·高尔德巴
法蓝克·雅库波斯其
蓝夫·库波
赖朝文
克莉丝汀·舒波克
密夏·舒密特
黄承智
申请人
:
申请人地址
:
台湾省桃园县
IPC主分类号
:
H01L2128
IPC分类号
:
H01L21336
H01L218234
H01L2978
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所
代理人
:
陶凤波;侯宇
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2008-03-26
授权
授权
2006-03-01
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-01-04
公开
公开
共 50 条
[1]
金属栅极结构及其制作方法
[P].
郑存闵
论文数:
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郑存闵
;
何念葶
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何念葶
;
陈健豪
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陈健豪
;
张净云
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张净云
;
黄信富
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黄信富
;
蔡旻錞
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蔡旻錞
;
孙启原
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孙启原
;
许启茂
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许启茂
.
中国专利
:CN104425575A
,2015-03-18
[2]
金属栅极结构及其制作方法
[P].
杨建伦
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杨建伦
;
许启茂
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许启茂
;
吴俊元
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吴俊元
;
郑子铭
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郑子铭
;
邹世芳
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邹世芳
;
林进富
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林进富
;
黄信富
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黄信富
;
蔡旻錞
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蔡旻錞
.
中国专利
:CN102683397A
,2012-09-19
[3]
垂直栅极结构及其制作方法
[P].
谢颂康
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机构:
上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
谢颂康
;
吕亚冰
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机构:
上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
吕亚冰
;
荆泉
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机构:
上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
荆泉
;
陈力钧
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机构:
上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
陈力钧
.
中国专利
:CN120857583A
,2025-10-28
[4]
沟槽式栅极结构及其制作方法
[P].
吴铁将
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吴铁将
;
陈逸男
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陈逸男
;
刘献文
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刘献文
.
中国专利
:CN102737972A
,2012-10-17
[5]
栅极结构与其制作方法
[P].
张钦福
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张钦福
;
林昭维
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林昭维
;
朱家仪
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朱家仪
;
童宇诚
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童宇诚
.
中国专利
:CN111627993B
,2020-09-04
[6]
栅极结构的制作方法
[P].
朱梦媚
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朱梦媚
;
尹记红
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尹记红
;
许宗能
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许宗能
.
中国专利
:CN115332060B
,2022-11-11
[7]
栅极结构与其制作方法
[P].
张钦福
论文数:
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张钦福
;
林昭维
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林昭维
;
朱家仪
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朱家仪
;
童宇诚
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0
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童宇诚
.
中国专利
:CN111627992A
,2020-09-04
[8]
栅极制作方法
[P].
彭虎
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彭虎
;
季伟
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季伟
;
孙尧
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孙尧
;
孙勤
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孙勤
;
彭仕敏
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0
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彭仕敏
.
中国专利
:CN102820215A
,2012-12-12
[9]
栅极的制作方法
[P].
王乐平
论文数:
0
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0
王乐平
.
中国专利
:CN104485280A
,2015-04-01
[10]
栅极的制作方法、晶体管的制作方法
[P].
王冬江
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王冬江
;
张海洋
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张海洋
.
中国专利
:CN103137449A
,2013-06-05
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