栅极结构与其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010507071.6

申请日：

2020-06-05

公开(公告)号：

CN111627993B

公开(公告)日：

2020-09-04

发明(设计)人：

张钦福林昭维朱家仪童宇诚

申请人：

申请人地址：

362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

王宏婧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-04	公开	公开
2020-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20200605
2023-01-06	授权	授权

共 50 条

[1]

栅极结构与其制作方法 [P].

张钦福 ;

林昭维 ;

朱家仪 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN111627992A ,2020-09-04

[2]

栅极制作方法 [P].

彭虎 ;

季伟 ;

孙尧 ;

孙勤 ;

彭仕敏 .

中国专利 :CN102820215A ,2012-12-12

[3]

半导体结构与其制作方法 [P].

任柏翰 .

中国专利 :CN105280645A ,2016-01-27

[4]

金属栅极结构及其制作方法 [P].

郑存闵 ;

何念葶 ;

陈健豪 ;

张净云 ;

黄信富 ;

蔡旻錞 ;

孙启原 ;

许启茂 .

中国专利 :CN104425575A ,2015-03-18

[5]

金属栅极结构及其制作方法 [P].

杨建伦 ;

许启茂 ;

吴俊元 ;

郑子铭 ;

邹世芳 ;

林进富 ;

黄信富 ;

蔡旻錞 .

中国专利 :CN102683397A ,2012-09-19

[6]

多层堆栈栅极结构及其制作方法 [P].

马谛尔斯·高尔德巴 ;

法蓝克·雅库波斯其 ;

蓝夫·库波 ;

赖朝文 ;

克莉丝汀·舒波克 ;

密夏·舒密特 ;

黄承智 .

中国专利 :CN100377307C ,2006-01-04

[7]

沟槽式栅极结构及其制作方法 [P].

吴铁将 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN102737972A ,2012-10-17

[8]

位线栅极及其制作方法 [P].

陈品宏 ;

陈意维 ;

邱钧杰 ;

蔡志杰 ;

陈姿洁 ;

刘志建 .

中国专利 :CN110391232A ,2019-10-29

[9]

半导体装置与其制作方法 [P].

王俊傑 ;

白岳青 .

中国专利 :CN113140514B ,2025-02-28

[10]

半导体装置与其制作方法 [P].

王俊傑 ;

白岳青 .

中国专利 :CN113140514A ,2021-07-20

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