位线栅极及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810341857.8

申请日：

2018-04-17

公开(公告)号：

CN110391232A

公开(公告)日：

2019-10-29

发明(设计)人：

陈品宏陈意维邱钧杰蔡志杰陈姿洁刘志建

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-29	公开	公开
2019-11-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20180417

共 50 条

[1]

位线的制作方法 [P].

陈品宏 ;

陈意维 ;

蔡志杰 ;

陈姿洁 ;

郑存闵 ;

许启茂 .

中国专利 :CN110112119B ,2019-08-09

[2]

栅极制作方法 [P].

彭虎 ;

季伟 ;

孙尧 ;

孙勤 ;

彭仕敏 .

中国专利 :CN102820215A ,2012-12-12

[3]

栅极结构与其制作方法 [P].

张钦福 ;

林昭维 ;

朱家仪 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN111627993B ,2020-09-04

[4]

栅极结构与其制作方法 [P].

张钦福 ;

林昭维 ;

朱家仪 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN111627992A ,2020-09-04

[5]

栅极的制作方法、晶体管的制作方法 [P].

王冬江 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103137449A ,2013-06-05

[6]

下栅极式薄膜晶体管及其制作方法 [P].

彭雅慧 ;

曾以亚 ;

黄坤富 ;

陈志轩 ;

林汉涂 .

中国专利 :CN101393936A ,2009-03-25

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈逸男 ;

刘献文 ;

蔡子敬 .

中国专利 :CN101577243B ,2009-11-11

[8]

闪存及其制作方法 [P].

严强生 ;

任媛媛 .

中国专利 :CN120264759A ,2025-07-04

[9]

换能器及其制作方法 [P].

吴健兴 ;

但强 ;

吴伟昌 ;

黎家健 .

中国专利 :CN111203375A ,2020-05-29

[10]

一种嵌入闪存栅极的制作方法 [P].

吴永玉 .

中国专利 :CN104733394B ,2015-06-24

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