有源区、半导体激光器及半导体激光器的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010623679.5

申请日：

2020-06-30

公开(公告)号：

CN111711075B

公开(公告)日：

2020-09-25

发明(设计)人：

杨国文赵勇明杨皓宇赵卫东

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区苏州金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01S534 H01S530

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

钟扬飞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20200630
2020-09-25	公开	公开
2021-09-03	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 [P].

赵勇明 ;

董建荣 ;

李奎龙 ;

孙玉润 ;

曾徐路 ;

于淑珍 ;

赵春雨 ;

杨辉 .

中国专利 :CN103368074B ,2013-10-23

[2]

红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 [P].

赵勇明 ;

董建荣 ;

李奎龙 ;

孙玉润 ;

曾徐路 ;

于淑珍 ;

赵春雨 ;

杨辉 .

中国专利 :CN103401144B ,2013-11-20

[3]

激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 [P].

曾徐路 ;

董建荣 ;

李奎龙 ;

孙玉润 ;

于淑珍 ;

赵勇明 ;

赵春雨 .

中国专利 :CN103326242B ,2013-09-25

[4]

半导体激光器模组及半导体激光器 [P].

李宁 ;

胡慧璇 ;

王子威 ;

吴梦迪 ;

卢昆忠 ;

闫大鹏 .

中国专利 :CN114069390B ,2022-02-18

[5]

半导体激光器模组及半导体激光器 [P].

蒋峰 ;

吕张勇 ;

邱小兵 ;

李菡 ;

李永高 ;

李权 .

中国专利 :CN221447692U ,2024-07-30

[6]

半导体激光器、半导体激光器装置以及半导体激光器的制造方法 [P].

前原宏昭 ;

平聪 ;

渊田步 ;

铃木凉子 ;

宫越亮辅 .

日本专利 :CN119213646A ,2024-12-27

[7]

增益器件、半导体激光器及半导体激光器的制作方法 [P].

李健 ;

韦欣 ;

李川川 .

中国专利 :CN113471812A ,2021-10-01

[8]

半导体激光器、半导体激光器阵列以及半导体激光器的制造方法 [P].

外间洋平 ;

铃木洋介 .

中国专利 :CN112714986A ,2021-04-27

[9]

半导体激光器 [P].

生方映德 .

中国专利 :CN1153319C ,1999-12-22

[10]

半导体激光器 [P].

董杰 ;

松本功 .

中国专利 :CN1118120C ,1999-12-22

← 1 2 3 4 5 →