一种低暗电流的图像传感器像素结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011431902.2

申请日：

2020-12-07

公开(公告)号：

CN112563298A

公开(公告)日：

2021-03-26

发明(设计)人：

陈多金旷章曲王菁张帅孙伟刘志碧陈杰

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区上科路88号豪威科技园

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司 11260

代理人：

郑立明;赵镇勇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20201207

共 50 条

[1]

一种低暗电流图像传感器像素结构 [P].

王菁 ;

陈多金 ;

龚雨琛 ;

高峰 .

中国专利 :CN115084179B ,2025-06-27

[2]

一种低暗电流图像传感器像素结构 [P].

王菁 ;

陈多金 ;

龚雨琛 ;

高峰 .

中国专利 :CN115084179A ,2022-09-20

[3]

一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构 [P].

陈多金 ;

旷章曲 ;

王菁 ;

张帅 ;

孙伟 ;

刘志碧 ;

陈杰 .

中国专利 :CN112530986B ,2024-08-09

[4]

一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构 [P].

陈多金 ;

旷章曲 ;

王菁 ;

张帅 ;

孙伟 ;

刘志碧 ;

陈杰 .

中国专利 :CN112530986A ,2021-03-19

[5]

一种降低扩散暗电流的CMOS图像传感器像素结构 [P].

徐江涛 ;

王瑞硕 ;

夏梦真 ;

史兴萍 ;

李凤 .

中国专利 :CN111403426A ,2020-07-10

[6]

适用于CMOS图像传感器的低暗电流有源像素及其制造方法 [P].

金湘亮 .

中国专利 :CN100474601C ,2007-01-03

[7]

高光电转换效率和低暗电流的图像传感器 [P].

赵常玹 ;

李载昊 ;

李殷奎 ;

朴晟准 ;

李基荣 ;

许镇盛 .

中国专利 :CN108063145A ,2018-05-22

[8]

降低图像传感器表面暗电流的方法及图像传感器 [P].

黄文军 ;

陈世杰 ;

唐昭焕 ;

张斌 .

中国专利 :CN112117292A ,2020-12-22

[9]

高光电转换效率和低暗电流的图像传感器 [P].

赵常玹 ;

李载昊 ;

李殷奎 ;

朴晟准 ;

李基荣 ;

许镇盛 .

韩国专利 :CN108063145B ,2024-06-14

[10]

暗电流检测结构及图像传感器的暗电流检测方法 [P].

章曦 ;

郑晓 .

中国专利 :CN121037555A ,2025-11-28

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