一种低暗电流图像传感器像素结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210756089.9

申请日：

2022-06-30

公开(公告)号：

CN115084179B

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

王菁陈多金龚雨琛高峰

申请人：

上海韦尔半导体股份有限公司

申请人地址：

201210 上海市浦东新区上科路88号豪威科技园

IPC主分类号：

H10F39/18

IPC分类号：

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司 11260

代理人：

郑立明;赵镇勇

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	授权	授权

共 50 条

[1]

一种低暗电流图像传感器像素结构 [P].

王菁 ;

陈多金 ;

龚雨琛 ;

高峰 .

中国专利 :CN115084179A ,2022-09-20

[2]

一种低暗电流的图像传感器像素结构 [P].

陈多金 ;

旷章曲 ;

王菁 ;

张帅 ;

孙伟 ;

刘志碧 ;

陈杰 .

中国专利 :CN112563298A ,2021-03-26

[3]

一种高转换增益的图像传感器像素结构 [P].

王菁 ;

陈多金 ;

陈杰 ;

旷章曲 ;

刘志碧 ;

田晓川 ;

程超 .

中国专利 :CN114268753A ,2022-04-01

[4]

一种高转换增益的图像传感器像素结构 [P].

王菁 ;

陈多金 ;

陈杰 ;

旷章曲 ;

刘志碧 ;

田晓川 ;

程超 .

中国专利 :CN114268753B ,2024-07-16

[5]

一种高灵敏度的图像传感器像素结构 [P].

王菁 ;

旷章曲 ;

陈多金 ;

陈杰 ;

刘志碧 ;

张富生 ;

付保利 .

中国专利 :CN114256281A ,2022-03-29

[6]

一种降低扩散暗电流的CMOS图像传感器像素结构 [P].

徐江涛 ;

王瑞硕 ;

夏梦真 ;

史兴萍 ;

李凤 .

中国专利 :CN111403426A ,2020-07-10

[7]

一种图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN204230243U ,2015-03-25

[8]

图像传感器及其像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 ;

唐冕 .

中国专利 :CN203983283U ,2014-12-03

[9]

适用于CMOS图像传感器的低暗电流有源像素及其制造方法 [P].

金湘亮 .

中国专利 :CN100474601C ,2007-01-03

[10]

一种CMOS图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN204144261U ,2015-02-04

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