适用于CMOS图像传感器的低暗电流有源像素及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200510083008.X
申请日
2005-07-12
公开(公告)号
CN100474601C
公开(公告)日
2007-01-03
发明(设计)人
金湘亮
申请人
申请人地址
100085北京市海淀区上地信息路2号创业园D栋412
IPC主分类号
H01L27146
IPC分类号
H01L2182
代理机构
北京凯特来知识产权代理有限公司
代理人
郑立明
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
CMOS图像传感器中具有减弱的暗电流的有源像素 [P]. 
X·何 ;
C·-H·吴 ;
T·赵 .
中国专利 :CN100361309C ,2003-05-14
[2]
用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构 [P]. 
高静 ;
杨玉红 ;
徐江涛 ;
姚素英 ;
史再峰 .
中国专利 :CN103152531B ,2013-06-12
[3]
一种低暗电流图像传感器像素结构 [P]. 
王菁 ;
陈多金 ;
龚雨琛 ;
高峰 .
中国专利 :CN115084179B ,2025-06-27
[4]
一种低暗电流图像传感器像素结构 [P]. 
王菁 ;
陈多金 ;
龚雨琛 ;
高峰 .
中国专利 :CN115084179A ,2022-09-20
[5]
一种CMOS图像传感器有源像素的结构及其制造方法 [P]. 
田志 ;
齐瑞生 ;
王奇伟 ;
陈昊瑜 .
中国专利 :CN103500750A ,2014-01-08
[6]
一种降低扩散暗电流的CMOS图像传感器像素结构 [P]. 
徐江涛 ;
王瑞硕 ;
夏梦真 ;
史兴萍 ;
李凤 .
中国专利 :CN111403426A ,2020-07-10
[7]
用于减小暗电流的图像传感器及其制造方法 [P]. 
慎宗哲 .
中国专利 :CN100557808C ,2005-12-14
[8]
CMOS图像传感器的像素结构及其制造方法 [P]. 
余泳 .
中国专利 :CN101789437A ,2010-07-28
[9]
减小CMOS图像传感器暗电流的表面钝化 [P]. 
C·-H·吴 ;
T·赵 ;
X·何 .
中国专利 :CN100492648C ,2003-05-21
[10]
一种CMOS图像传感器的有源像素的制造方法 [P]. 
高文玉 ;
李秋德 ;
彭川 ;
王科军 .
中国专利 :CN101295724A ,2008-10-29