用于抗辐射CMOS图像传感器的有源像素结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310062297.X

申请日：

2013-02-27

公开(公告)号：

CN103152531B

公开(公告)日：

2013-06-12

发明(设计)人：

高静杨玉红徐江涛姚素英史再峰

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

H04N5374

IPC分类号：

H01L27146

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

杜文茹

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H04N 5/374 申请日:20130227 授权公告日:20140312 终止日期:20210227
2013-07-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101490729557 IPC(主分类):H04N 5/374 专利申请号:201310062297X 申请日:20130227
2013-06-12	公开	公开
2014-03-12	授权	授权

共 50 条

[1]

CMOS图像传感器的有源像素及CMOS图像传感器 [P].

郭同辉 ;

唐冕 ;

陈杰 ;

刘志碧 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN103139497B ,2013-06-05

[2]

CMOS图像传感器的图像像素 [P].

朴得熙 ;

崔愿太 ;

姜信在 ;

高主烈 .

中国专利 :CN1885913A ,2006-12-27

[3]

新型CMOS图像传感器像素结构 [P].

王欣洋 ;

李扬 ;

马成 ;

刘洋 ;

辛国松 .

中国专利 :CN112614862A ,2021-04-06

[4]

适用于CMOS图像传感器的低暗电流有源像素及其制造方法 [P].

金湘亮 .

中国专利 :CN100474601C ,2007-01-03

[5]

一种应用于CMOS图像传感器的有源像素电路 [P].

林子瑛 ;

陈维 .

中国专利 :CN115396614A ,2022-11-25

[6]

CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器 [P].

孙德明 .

中国专利 :CN120035242A ,2025-05-23

[7]

CMOS图像传感器像素电路及CMOS图像传感器 [P].

吕涛 ;

徐新楠 ;

付园园 ;

任张强 .

中国专利 :CN110971846A ,2020-04-07

[8]

CMOS图像传感器中具有减弱的暗电流的有源像素 [P].

X·何 ;

C·－H·吴 ;

T·赵 .

中国专利 :CN100361309C ,2003-05-14

[9]

像素形成方法及像素结构、CMOS图像传感器 [P].

林杰 .

中国专利 :CN121078816A ,2025-12-05

[10]

CMOS图像传感器像素结构及其图像传感器 [P].

生驹贵英 ;

深作克彦 .

中国专利 :CN217768380U ,2022-11-08

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