在非金属基底上制备石墨烯或石墨烯材料的膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380008199.6

申请日：

2013-02-05

公开(公告)号：

CN104203814A

公开(公告)日：

2014-12-10

发明(设计)人：

约瑟·玛利亚·德尔加多桑切斯埃米利奥·桑切斯科尔特宗佩德罗·阿提恩扎尔科尔比罗安娜·玛利亚·普莱蒙阿尔诺埃梅内希尔多·噶西亚戈麦斯

申请人：

申请人地址：

西班牙塞维利亚

IPC主分类号：

C01B3102

IPC分类号：

B82Y3000

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

郭国清;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-10	公开	公开
2016-08-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101736856890 IPC(主分类):C01B 31/02 专利申请号:2013800081996 申请公布日:20141210
2015-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601126967 IPC(主分类):C01B 31/02 专利申请号:2013800081996 申请日:20130205

共 50 条

[1]

在非金属基底上低温制备石墨烯薄膜的方法 [P].

鲍桥梁 ;

林生晃 ;

陈彩云 ;

袁建 ;

李鹏飞 ;

许梦 .

中国专利 :CN103193224A ,2013-07-10

[2]

一种快速在非金属基底上制备石墨烯薄膜方法 [P].

李雪松 ;

青芳竹 ;

周聪俐 .

中国专利 :CN114506843A ,2022-05-17

[3]

一种在非金属基底上快速CVD生长单层石墨烯的方法 [P].

马来鹏 ;

魏士敬 ;

任文才 ;

成会明 .

中国专利 :CN111517307B ,2020-08-11

[4]

一种在异型金属基底上生长石墨烯的方法 [P].

张兴丽 ;

王晓杰 ;

陈浩 .

中国专利 :CN112921296B ,2021-06-08

[5]

用于转移石墨烯膜和包含石墨烯膜的基底的方法 [P].

本尼迪克特·约克·约翰逊 ;

刘鑫源 ;

普兰蒂克·玛祖德 .

中国专利 :CN108137390A ,2018-06-08

[6]

石墨烯材料的制备方法、石墨烯材料及其应用 [P].

黄乾明 ;

叶怀宇 ;

刘旭 ;

檀春健 .

中国专利 :CN114477151A ,2022-05-13

[7]

从金属基底上无损层离石墨烯的方法 [P].

罗健平 ;

王钰 .

中国专利 :CN103889896B ,2014-06-25

[8]

石墨烯厚膜电极的制备方法 [P].

沈悦 ;

沈菼 ;

马孝田 ;

吴贵芝 ;

王倩娣 ;

曹萌 ;

顾峰 .

中国专利 :CN102903539A ,2013-01-30

[9]

多孔石墨烯、石墨烯/多孔金属复合材料以及它们的制备方法 [P].

黄富强 ;

周密 ;

毕辉 .

中国专利 :CN103215469B ,2013-07-24

[10]

石墨烯的制备方法及石墨烯 [P].

胡天娇 ;

浦文婧 ;

尹传明 ;

李公义 ;

李效东 ;

王建方 .

中国专利 :CN107032327B ,2017-08-11

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