在非金属基底上低温制备石墨烯薄膜的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310132019.7
申请日
2013-04-17
公开(公告)号
CN103193224A
公开(公告)日
2013-07-10
发明(设计)人
鲍桥梁 林生晃 陈彩云 袁建 李鹏飞 许梦
申请人
申请人地址
215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
IPC主分类号
C01B3104
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
专利申请权、专利权的转移
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共 50 条
[1]
一种快速在非金属基底上制备石墨烯薄膜方法 [P]. 
李雪松 ;
青芳竹 ;
周聪俐 .
中国专利 :CN114506843A ,2022-05-17
[2]
在非金属基底上制备石墨烯或石墨烯材料的膜的方法 [P]. 
约瑟·玛利亚·德尔加多桑切斯 ;
埃米利奥·桑切斯科尔特宗 ;
佩德罗·阿提恩扎尔科尔比罗 ;
安娜·玛利亚·普莱蒙阿尔诺 ;
埃梅内希尔多·噶西亚戈麦斯 .
中国专利 :CN104203814A ,2014-12-10
[3]
一种在非金属基底上快速CVD生长单层石墨烯的方法 [P]. 
马来鹏 ;
魏士敬 ;
任文才 ;
成会明 .
中国专利 :CN111517307B ,2020-08-11
[4]
一种低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法 [P]. 
胡宝山 ;
蔡霞 ;
金燕 .
中国专利 :CN112575310A ,2021-03-30
[5]
一种在石墨烯基底上制备酞菁铁单晶薄膜的方法 [P]. 
窦卫东 .
中国专利 :CN109183145A ,2019-01-11
[6]
一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法 [P]. 
胡宝山 ;
赵文斌 .
中国专利 :CN106587030B ,2017-04-26
[7]
一种非金属表面低温制备掺杂石墨烯的方法 [P]. 
魏大程 ;
彭兰 ;
李孟林 ;
蔡智 ;
曹敏 .
中国专利 :CN104556014A ,2015-04-29
[8]
基于金属铬牺牲层的石墨烯转移方法 [P]. 
李炜康 ;
潘登 ;
侯伟盛 .
中国专利 :CN114538429A ,2022-05-27
[9]
一种低温制备石墨烯薄膜的方法 [P]. 
杨连乔 ;
王浪 ;
吴行阳 ;
张建华 ;
陈伟 .
中国专利 :CN103407988A ,2013-11-27
[10]
用于生长石墨烯薄膜的基底、石墨烯薄膜以及它们的制备方法 [P]. 
张宝勋 ;
李炯利 ;
王旭东 ;
王刚 ;
罗圭纳 .
中国专利 :CN114635120A ,2022-06-17