一种在异型金属基底上生长石墨烯的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110089848.6

申请日：

2021-01-22

公开(公告)号：

CN112921296B

公开(公告)日：

2021-06-08

发明(设计)人：

张兴丽王晓杰陈浩

申请人：

申请人地址：

150040 黑龙江省哈尔滨市香坊区和兴路26号

IPC主分类号：

C23C1626

IPC分类号：

C01B32186 C23C1602

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

李红媛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-08	公开	公开
2022-12-30	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C23C 16/26 变更事项:发明人变更前:张兴丽王晓杰陈浩变更后:张兴丽陈昊王晓杰
2022-05-24	授权	授权
2021-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/26 申请日:20210122

共 50 条

[1]

一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法 [P].

张广宇 ;

时东霞 ;

张连昌 .

中国专利 :CN102260858A ,2011-11-30

[2]

一种在非金属基底上快速CVD生长单层石墨烯的方法 [P].

马来鹏 ;

魏士敬 ;

任文才 ;

成会明 .

中国专利 :CN111517307B ,2020-08-11

[3]

在非金属基底上制备石墨烯或石墨烯材料的膜的方法 [P].

约瑟·玛利亚·德尔加多桑切斯 ;

埃米利奥·桑切斯科尔特宗 ;

佩德罗·阿提恩扎尔科尔比罗 ;

安娜·玛利亚·普莱蒙阿尔诺 ;

埃梅内希尔多·噶西亚戈麦斯 .

中国专利 :CN104203814A ,2014-12-10

[4]

在非金属基底上低温制备石墨烯薄膜的方法 [P].

鲍桥梁 ;

林生晃 ;

陈彩云 ;

袁建 ;

李鹏飞 ;

许梦 .

中国专利 :CN103193224A ,2013-07-10

[5]

在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法 [P].

陈小龙 ;

黄青松 ;

王文军 ;

王皖燕 ;

杨蓉 .

中国专利 :CN101798706B ,2010-08-11

[6]

一种在蓝宝石衬底上生长石墨烯的方法 [P].

康森 ;

倪浩然 ;

常慧 ;

王国强 ;

钱煜 ;

冯利苗 ;

乐刚 .

中国专利 :CN107827101A ,2018-03-23

[7]

用于生长石墨烯薄膜的基底、石墨烯薄膜以及它们的制备方法 [P].

张宝勋 ;

李炯利 ;

王旭东 ;

王刚 ;

罗圭纳 .

中国专利 :CN114635120A ,2022-06-17

[8]

一种快速在非金属基底上制备石墨烯薄膜方法 [P].

李雪松 ;

青芳竹 ;

周聪俐 .

中国专利 :CN114506843A ,2022-05-17

[9]

一种在非金属衬底上直接生长石墨烯的方法 [P].

孙捷 ;

樊星 ;

许坤 ;

郭伟玲 ;

徐晨 ;

邓军 .

中国专利 :CN104900497A ,2015-09-09

[10]

一种超快生长石墨烯的方法 [P].

徐建勋 ;

赵宇亮 ;

梁建波 ;

葛逸飞 ;

王鲁峰 ;

杨宜 .

中国专利 :CN113840801B ,2024-04-16

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