用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510087545.1

申请日：

2005-07-22

公开(公告)号：

CN1724626B

公开(公告)日：

2010-10-27

发明(设计)人：

M·I·埃格贝 D·G·詹宁斯

申请人：

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

C11D732

IPC分类号：

G03F742 H01L2130

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

温宏艳;赵苏林

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101755135977 IPC(主分类):C11D 7/32 专利号:ZL2005100875451 登记生效日:20170623 变更事项:专利权人变更前权利人:气体产品与化学公司变更后权利人:弗萨姆材料美国有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国宾夕法尼亚州变更后权利人:美国亚利桑那州
2006-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-07-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C11D 7/32 申请日:20050722 授权公告日:20101027 终止日期:20210722
2010-10-27	授权	授权

共 50 条

[1]

用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用 [P].

M·I·埃格贝 ;

D·G·詹宁斯 .

中国专利 :CN101794088B ,2010-08-04

[2]

从基片上除去残留物的组合物及其方法 [P].

许峻毅 ;

吴爱萍 ;

M·I·埃格贝 .

中国专利 :CN1776532A ,2006-05-24

[3]

从通道上除去光致抗蚀剂和蚀刻残留物的方法 [P].

付瑶 ;

蔡怡文 ;

D·L·麦克雷诺兹 ;

D·塞克 ;

V·博德兰内 ;

W·维什涅夫斯基 .

中国专利 :CN102473637A ,2012-05-23

[4]

从半导体基片上去除光致抗蚀剂、蚀刻和/或灰化残留物、或污染物的方法 [P].

马修·I.·埃贝 ;

达里尔·W.·彼得斯 .

中国专利 :CN1900829A ,2007-01-24

[5]

除去光致抗蚀剂和后蚀刻残留物的气体混合物及其应用 [P].

C·帕杜拉鲁 ;

A·詹森 ;

D·斯彻尔弗 ;

R·查拉坦 ;

T·乔伊 .

中国专利 :CN101025578A ,2007-08-29

[6]

用于除去蚀刻残留物的组合物及其应用 [P].

M·埃格伯 .

中国专利 :CN100367114C ,2005-10-26

[7]

用于除去硬化的光致抗蚀剂、蚀刻后残留物和/或底部抗反射涂层的稠密流体组合物 [P].

迈克尔·B·克赞斯基 ;

帕梅拉·M·维辛廷 ;

托马斯·H·鲍姆 ;

大卫·W·明赛克 ;

许从应 .

中国专利 :CN101242914A ,2008-08-13

[8]

用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法 [P].

宋贤宇 ;

孙成旼 ;

韩东一 ;

朴泰文 ;

李东勋 .

中国专利 :CN113138544A ,2021-07-20

[9]

用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法 [P].

宋贤宇 ;

孙成旼 ;

韩东一 ;

朴泰文 ;

李东勋 .

韩国专利 :CN113138544B ,2024-09-13

[10]

用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法 [P].

朴泰文 ;

郑大哲 ;

李东勋 ;

李佑然 ;

李贤濬 ;

金周永 .

中国专利 :CN105556392B ,2016-05-04

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