从基片上除去残留物的组合物及其方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510089619.5

申请日：

2005-06-15

公开(公告)号：

CN1776532A

公开(公告)日：

2006-05-24

发明(设计)人：

许峻毅吴爱萍 M·I·埃格贝

申请人：

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

G03F742

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

温宏艳;邹雪梅

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-05-24	公开	公开
2006-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用 [P].

M·I·埃格贝 ;

D·G·詹宁斯 .

中国专利 :CN101794088B ,2010-08-04

[2]

用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用 [P].

M·I·埃格贝 ;

D·G·詹宁斯 .

中国专利 :CN1724626B ,2010-10-27

[3]

用于从基片除去含硅残留物的方法 [P].

S·J·韦格尔 ;

S·N·克霍特 ;

R·P·莫里斯-奥斯卡尼安 ;

S·G·梅厄加 ;

J·E·马多加尔 ;

L·塞内卡 .

中国专利 :CN100522395C ,2006-01-04

[4]

用于除去蚀刻残留物的组合物及其应用 [P].

M·埃格伯 .

中国专利 :CN100367114C ,2005-10-26

[5]

残留物除去[ja] [P].

日本专利 :JP7299250B2 ,2023-06-27

[6]

残留物除去[ja] [P].

日本专利 :JP2021527959A ,2021-10-14

[7]

残留物除去装置[ja] [P].

日本专利 :JP7681353B2 ,2025-05-22

[8]

用于去除残留物的水性清洗组合物及使用该组合物的方法 [P].

吴爱萍 ;

R·J·罗维托 .

中国专利 :CN1949085B ,2007-04-18

[9]

清除蚀刻残留物的组合物及其应用 [P].

R·J·罗维托 ;

D·B·雷尼 ;

D·L·杜汉 .

中国专利 :CN1278975C ,2005-09-07

[10]

具有降低的残留物的组合物 [P].

D·加西亚 ;

S·考尔 ;

J·尼古罗沃斯基 ;

L·德雷德 .

中国专利 :CN108567581A ,2018-09-25

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