三维集成电路中缺陷硅通孔的容错电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510204655.5

申请日：

2015-04-27

公开(公告)号：

CN104900644B

公开(公告)日：

2015-09-09

发明(设计)人：

裴颂伟张静东金予

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北三环东路15号北京化工大学信息学院

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L23528

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

王勇;李科

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-09	公开	公开
2015-10-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101628132740 IPC(主分类):H01L 27/02 专利申请号:2015102046555 申请日:20150427
2017-11-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种三维集成电路硅通孔容错结构 [P].

常郝 ;

倪天明 ;

梁后军 ;

李峰 .

中国专利 :CN213583753U ,2021-06-29

[2]

三维集成电路及其硅通孔容错修复电路、容错修复方法 [P].

符露 ;

赵毅 ;

李少白 ;

莫晓霖 ;

陈钰文 ;

胡坤梅 .

中国专利 :CN119170611A ,2024-12-20

[3]

三维集成电路及其硅通孔容错修复电路、容错修复方法 [P].

符露 ;

赵毅 ;

李少白 ;

莫晓霖 ;

陈钰文 ;

胡坤梅 .

中国专利 :CN119170611B ,2025-02-14

[4]

硅通孔及三维集成电路中硅通孔组的测试电路及方法 [P].

崔小乐 ;

井兵强 ;

金玉丰 .

中国专利 :CN105470240A ,2016-04-06

[5]

三维集成电路 [P].

T·E·鄺 ;

M·I·柯伦特 .

美国专利 :CN111684581B ,2024-08-13

[6]

三维集成电路 [P].

T·E·鄺 ;

M·I·柯伦特 .

中国专利 :CN111684581A ,2020-09-18

[7]

三维集成电路 [P].

E·F·希欧多尔 ;

I·C·迈克尔 .

中国专利 :CN206516630U ,2017-09-22

[8]

硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路 [P].

杨正杰 .

中国专利 :CN111162773A ,2020-05-15

[9]

硅通孔信号导通控制电路和三维集成电路 [P].

杨正杰 .

中国专利 :CN208956012U ,2019-06-07

[10]

测试三维集成电路中硅穿孔的电路结构 [P].

张守仁 ;

吕俊麟 ;

陈俊丞 .

中国专利 :CN115116872A ,2022-09-27

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