半导体装置、组合件和构造以及形成半导体装置、组合件和构造的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780031554.6

申请日：

2007-07-27

公开(公告)号：

CN101506964A

公开(公告)日：

2009-08-12

发明(设计)人：

特德·泰勒杨夏弯

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

王允方

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-12	公开	公开
2012-08-15	授权	授权
2009-10-07	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体装置、半导体装置组合件及形成半导体装置组合件的方法 [P].

B·P·沃兹 ;

B·L·麦克莱恩 ;

J·E·明尼克 .

中国专利 :CN110164778A ,2019-08-23

[2]

半导体工具和用于形成半导体装置组合件的方法 [P].

陈业宏 .

中国专利 :CN109872958A ,2019-06-11

[3]

半导体装置组合件及形成所述半导体装置组合件的方法 [P].

C·H·育 ;

中野永一 .

中国专利 :CN109688724A ,2019-04-26

[4]

接合构造体、半导体封装件以及半导体装置 [P].

森隆二 ;

谷口雅彦 .

中国专利 :CN111316425A ,2020-06-19

[5]

接合构造体、半导体封装件以及半导体装置 [P].

森隆二 ;

谷口雅彦 .

日本专利 :CN117936483A ,2024-04-26

[6]

接合构造体、半导体封装件以及半导体装置 [P].

森隆二 ;

谷口雅彦 .

日本专利 :CN111316425B ,2024-02-06

[7]

半导体处理方法和半导体构造 [P].

王虹美 ;

亚诺什·富克斯科 ;

杜门·厄尔·艾伦 ;

理查德·H·莱恩 ;

弗雷德·D·菲什伯恩 ;

罗伯特·J·汉森 ;

凯文·R·谢伊 .

中国专利 :CN101213649A ,2008-07-02

[8]

半导体构造、半导体构造形成方法、导光导管和光信号传播组合件 [P].

钱德拉·穆利 .

中国专利 :CN101365971B ,2009-02-11

[9]

半导体装置组合件及制作半导体装置组合件的方法 [P].

B·K·施特雷特 .

中国专利 :CN110797307A ,2020-02-14

[10]

半导体装置组合件和其形成方法 [P].

P·莫纳德盖米 .

中国专利 :CN114695307A ,2022-07-01

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