半导体装置组合件及形成所述半导体装置组合件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811134097.X

申请日：

2018-09-27

公开(公告)号：

CN109688724A

公开(公告)日：

2019-04-26

发明(设计)人：

C·H·育中野永一

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H05K332

IPC分类号：

H05K336 H05K118

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-26	公开	公开
2019-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H05K 3/32 申请日:20180927

共 50 条

[1]

半导体装置、半导体装置组合件及形成半导体装置组合件的方法 [P].

B·P·沃兹 ;

B·L·麦克莱恩 ;

J·E·明尼克 .

中国专利 :CN110164778A ,2019-08-23

[2]

半导体装置组合件及制作半导体装置组合件的方法 [P].

B·K·施特雷特 .

中国专利 :CN110797307A ,2020-02-14

[3]

半导体组合件及制造所述组合件的方法 [P].

蔡瑞光 ;

文传勇 ;

谢永富 .

中国专利 :CN101785093B ,2010-07-21

[4]

半导体裸片组合件、包含所述半导体裸片组合件的半导体装置及制造方法 [P].

卢克·G·英格兰德 ;

保罗·A·西尔韦斯特里 ;

迈克尔·科普曼斯 .

中国专利 :CN103718289A ,2014-04-09

[5]

半导体组合件、堆叠式半导体装置及制造半导体组合件及堆叠式半导体装置的方法 [P].

戴维·A·普拉特 .

中国专利 :CN101681886A ,2010-03-24

[6]

半导体组合件、堆叠式半导体装置及制造半导体组合件及堆叠式半导体装置的方法 [P].

戴维·A·普拉特 .

中国专利 :CN103872028A ,2014-06-18

[7]

半导体装置、组合件和构造以及形成半导体装置、组合件和构造的方法 [P].

特德·泰勒 ;

杨夏弯 .

中国专利 :CN101506964A ,2009-08-12

[8]

半导体工具和用于形成半导体装置组合件的方法 [P].

陈业宏 .

中国专利 :CN109872958A ,2019-06-11

[9]

半导体装置、半导体装置组合件及计算设备 [P].

孔剑平 ;

胡楠 ;

王琪 ;

崔传荣 .

中国专利 :CN113053437A ,2021-06-29

[10]

半导体组合件间隙填料 [P].

J·B·金朱帕利 ;

C·E·希科 ;

D·M·布希 .

美国专利 :CN118016603A ,2024-05-10

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