半导体组合件及制造所述组合件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880104410.3

申请日：

2008-08-21

公开(公告)号：

CN101785093B

公开(公告)日：

2010-07-21

发明(设计)人：

蔡瑞光文传勇谢永富

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L23538 H01L2156 H01L2510

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

沈锦华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-21	公开	公开
2013-03-13	授权	授权
2010-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005822134 IPC(主分类):H01L 21/60 专利申请号:2008801044103 申请日:20080821

共 50 条

[1]

半导体装置组合件及形成所述半导体装置组合件的方法 [P].

C·H·育 ;

中野永一 .

中国专利 :CN109688724A ,2019-04-26

[2]

半导体裸片组合件、包含所述半导体裸片组合件的半导体装置及制造方法 [P].

卢克·G·英格兰德 ;

保罗·A·西尔韦斯特里 ;

迈克尔·科普曼斯 .

中国专利 :CN103718289A ,2014-04-09

[3]

半导体装置组合件及制作半导体装置组合件的方法 [P].

B·K·施特雷特 .

中国专利 :CN110797307A ,2020-02-14

[4]

半导体组合件、堆叠式半导体装置及制造半导体组合件及堆叠式半导体装置的方法 [P].

戴维·A·普拉特 .

中国专利 :CN101681886A ,2010-03-24

[5]

半导体组合件、堆叠式半导体装置及制造半导体组合件及堆叠式半导体装置的方法 [P].

戴维·A·普拉特 .

中国专利 :CN103872028A ,2014-06-18

[6]

半导体装置、半导体装置组合件及形成半导体装置组合件的方法 [P].

B·P·沃兹 ;

B·L·麦克莱恩 ;

J·E·明尼克 .

中国专利 :CN110164778A ,2019-08-23

[7]

半导体装置组合件及相关制造方法 [P].

K·G·杜斯曼 ;

J·E·戴维斯 ;

W·L·博耶 ;

J·P·莱特 .

中国专利 :CN111384041A ,2020-07-07

[8]

半导体装置组合件及其制造方法 [P].

J·M·戴德里安 ;

A·M·贝利斯 ;

李晓 .

中国专利 :CN110444504A ,2019-11-12

[9]

集成半导体组合件及其制造方法 [P].

T·H·金斯利 .

中国专利 :CN111033733A ,2020-04-17

[10]

半导体装置组合件和其制造方法 [P].

C·H·育 ;

O·R·费伊 .

中国专利 :CN111146193A ,2020-05-12

← 1 2 3 4 5 →