半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580045121.0

申请日：

2015-02-20

公开(公告)号：

CN106856665A

公开(公告)日：

2017-06-16

发明(设计)人：

岸雅人渡边祐司竹森俊之

申请人：

申请人地址：

日本国东京都千代田区大手町二丁目2番1号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

上海德昭知识产权代理有限公司 31204

代理人：

郁旦蓉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-22	授权	授权
2017-06-16	公开	公开
2017-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101733561482 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015800451210 申请日:20150220

共 50 条

[1]

半导体装置 [P].

岸雅人 ;

渡边祐司 ;

竹森俊之 ;

穴泽健夫 ;

秋元俊孝 .

中国专利 :CN107135668A ,2017-09-05

[2]

半导体装置 [P].

岸雅人 ;

竹森俊之 ;

秋元俊孝 ;

竹本刚太郎 ;

伊藤瑛基 .

中国专利 :CN109075195A ,2018-12-21

[3]

半导体装置 [P].

石井孝明 .

中国专利 :CN102403339A ,2012-04-04

[4]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

大谷欣也 .

中国专利 :CN108886054B ,2018-11-23

[5]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

大谷欣也 .

中国专利 :CN108701715A ,2018-10-23

[6]

半导体元件以及半导体装置 [P].

内田正雄 .

中国专利 :CN102668094B ,2012-09-12

[7]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN110047937A ,2019-07-23

[8]

半导体装置 [P].

野津哲郎 .

中国专利 :CN104425609A ,2015-03-18

[9]

半导体装置 [P].

西胁克彦 .

中国专利 :CN106463542A ,2017-02-22

[10]

半导体装置 [P].

三好智之 ;

森睦宏 ;

竹内悠次郎 ;

古川智康 .

中国专利 :CN110678988A ,2020-01-10

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