半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910045929.9

申请日：

2013-11-15

公开(公告)号：

CN110047937A

公开(公告)日：

2019-07-23

发明(设计)人：

佐藤贵洋中泽安孝长隆之越冈俊介德永肇神长正美

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2102 H01L21306 H01L21465 H01L2712 H01L2732 H01L2904 H01L2906 H01L2910 H01L2924 H01L29423 H01L21336 H01L2134 G02F11362 G02F11368

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

秦晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN103824886B ,2014-05-28

[2]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN107068767A ,2017-08-18

[3]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN113421929A ,2021-09-21

[4]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN105810752A ,2016-07-27

[5]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102834922A ,2012-12-19

[6]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN108321209B ,2018-07-24

[7]

半导体装置 [P].

长隆之 ;

越冈俊介 ;

横山雅俊 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN107195676A ,2017-09-22

[8]

半导体装置 [P].

长隆之 ;

越冈俊介 ;

横山雅俊 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN103066126B ,2013-04-24

[9]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN104662668B ,2015-05-27

[10]

半导体装置 [P].

松林大介 ;

篠原聪始 ;

关根航 .

中国专利 :CN104823283A ,2015-08-05

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20131115
2019-07-23	公开	公开
2022-08-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/786 申请公布日:20190723