半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710269210.4

申请日：

2012-10-24

公开(公告)号：

CN107195676A

公开(公告)日：

2017-09-22

发明(设计)人：

长隆之越冈俊介横山雅俊山崎舜平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L2949

IPC分类号：

H01L2951 H01L29786

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

叶培勇;刘春元

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/49 申请公布日:20170922
2017-09-22	公开	公开
2017-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/49 申请日:20121024

共 50 条

[1]

半导体装置 [P].

长隆之 ;

越冈俊介 ;

横山雅俊 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN103066126B ,2013-04-24

[2]

半导体装置 [P].

长隆之 ;

越冈俊介 ;

横山雅俊 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN107275223A ,2017-10-20

[3]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN110047937A ,2019-07-23

[4]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN103824886B ,2014-05-28

[5]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN107068767A ,2017-08-18

[6]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN108321209B ,2018-07-24

[7]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN104662668B ,2015-05-27

[8]

半导体装置 [P].

松林大介 ;

篠原聪始 ;

关根航 .

中国专利 :CN104823283A ,2015-08-05

[9]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN113421929A ,2021-09-21

[10]

半导体装置 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

望月真里奈 ;

小野寺凉 ;

渡部将弘 .

日本专利 :CN120753018A ,2025-10-03

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