半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380061385.6

申请日：

2013-11-19

公开(公告)号：

CN104823283A

公开(公告)日：

2015-08-05

发明(设计)人：

松林大介篠原聪始关根航

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336 H01L218234 H01L218242 H01L218247 H01L2706 H01L2708 H01L27105 H01L27108 H01L27115 H01L29417 H01L29788 H01L29792

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

李玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN110047937A ,2019-07-23

[2]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN103824886B ,2014-05-28

[3]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN107068767A ,2017-08-18

[4]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN108321209B ,2018-07-24

[5]

半导体装置 [P].

长隆之 ;

越冈俊介 ;

横山雅俊 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN107195676A ,2017-09-22

[6]

半导体装置 [P].

长隆之 ;

越冈俊介 ;

横山雅俊 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN103066126B ,2013-04-24

[7]

半导体装置 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN104662668B ,2015-05-27

[8]

半导体装置 [P].

长隆之 ;

越冈俊介 ;

横山雅俊 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN107275223A ,2017-10-20

[9]

半导体装置 [P].

佐藤贵洋 ;

中泽安孝 ;

长隆之 ;

越冈俊介 ;

德永肇 ;

神长正美 .

中国专利 :CN113421929A ,2021-09-21

[10]

半导体装置 [P].

渡壁创 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

田丸尊也 ;

望月真里奈 ;

小野寺凉 ;

渡部将弘 .

日本专利 :CN120753018A ,2025-10-03

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101632904602 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2013800613856 申请日:20131119
2018-04-27	授权	授权
2015-08-05	公开	公开