半导体发光元件用基板以及半导体发光元件用基板的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780006921.0

申请日：

2017-01-18

公开(公告)号：

CN108475710B

公开(公告)日：

2018-08-31

发明(设计)人：

大纮太郎筱塚启八田嘉久

申请人：

申请人地址：

日本东京都中央区银座4丁目7番5号

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

C30B2504 H01L21203 H01L21205

代理机构：

上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239

代理人：

余文娟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	授权	授权
2018-08-31	公开	公开
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/22 申请日:20170118

共 50 条

[1]

半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件 [P].

梶田康仁 ;

筱塚启 ;

大纮太郎 .

中国专利 :CN105706255A ,2016-06-22

[2]

半导体发光元件用基板以及半导体发光元件 [P].

梶田康仁 ;

筱塚启 ;

大纮太郎 .

中国专利 :CN110047981A ,2019-07-23

[3]

半导体生长用基板、半导体元件、半导体发光元件以及半导体元件制造方法 [P].

大长久芳 ;

神野大树 .

中国专利 :CN112236874A ,2021-01-15

[4]

半导体发光元件用基板及半导体发光元件 [P].

八田嘉久 ;

篠塚启 ;

大纮太郎 ;

梶田康仁 .

中国专利 :CN108389944B ,2018-08-10

[5]

光学基板、半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

古池润 ;

三田村哲理 ;

山口布士人 .

中国专利 :CN104205370B ,2014-12-10

[6]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法、半导体发光装置及基板 [P].

神川刚 ;

加藤正明 ;

花本哲也 .

中国专利 :CN104247053B ,2014-12-24

[7]

半导体发光元件用基板及半导体发光元件以及该等之制造方法 [P].

八田嘉久 ;

篠塚启 ;

大纮太郎 ;

梶田康仁 .

中国专利 :CN104584243A ,2015-04-29

[8]

光学基材、半导体发光元件用基板及半导体发光元件 [P].

室尾洋行 ;

山口布士人 ;

木山朋纪 ;

古池润 ;

前川知文 .

中国专利 :CN108028299A ,2018-05-11

[9]

半导体发光元件用基板材 [P].

中井辉久 .

中国专利 :CN301716073S ,2011-11-02

[10]

半导体发光元件用基板材 [P].

中井辉久 .

中国专利 :CN301716072S ,2011-11-02

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