一种具有超晶格纳米线结构GaN光电阴极的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110575267.3

申请日：

2021-05-25

公开(公告)号：

CN113451088A

公开(公告)日：

2021-09-28

发明(设计)人：

王晓晖张翔王振营班启沛张世博

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01J134

IPC分类号：

H01J912 H01J4006

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-28	公开	公开
2021-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/34 申请日:20210525

共 50 条

[1]

一种具有超晶格纳米线结构的GaN光电阴极 [P].

王晓晖 ;

王振营 ;

张翔 ;

班启沛 ;

张世博 .

中国专利 :CN113571390A ,2021-10-29

[2]

一种具有超晶格结构AlGaN/GaN光电阴极的制备方法 [P].

王晓晖 ;

张世博 ;

班启沛 ;

王振营 ;

张翔 .

中国专利 :CN113451087A ,2021-09-28

[3]

变掺杂GaN纳米线阵列光电阴极及其制备方法 [P].

田健 ;

刘磊 ;

刁煜 ;

陆菲菲 .

中国专利 :CN108630510A ,2018-10-09

[4]

一种具有超晶格结构电子发射层的AlGaN/GaN光电阴极 [P].

王晓晖 ;

班启沛 ;

张世博 ;

张翔 ;

王振营 .

中国专利 :CN113707512A ,2021-11-26

[5]

一种反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法 [P].

刘磊 ;

夏斯浩 ;

孔熠柯 ;

常本康 ;

张益军 .

中国专利 :CN105428183A ,2016-03-23

[6]

外加电场辅助GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法 [P].

刘磊 ;

陆菲菲 ;

田健 ;

张杨星月 .

中国专利 :CN110610838B ,2019-12-24

[7]

InSb超晶格纳米线的制备方法 [P].

杨友文 ;

陈东 ;

陈延彪 ;

陈祥迎 ;

解挺 .

中国专利 :CN101712453A ,2010-05-26

[8]

基于场助指数掺杂结构的GaN纳米线阵列光电阴极 [P].

居莹 ;

陆菲菲 ;

刘磊 ;

田健 .

中国专利 :CN110223897B ,2019-09-10

[9]

一种超晶格纳米线、光电探测器及其制备方法 [P].

张诗豪 ;

李绿周 .

中国专利 :CN114695584A ,2022-07-01

[10]

GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线 [P].

刘志强 ;

闫岩 ;

张硕 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN115369379A ,2022-11-22

← 1 2 3 4 5 →