一种具有超晶格结构电子发射层的AlGaN/GaN光电阴极

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110701308.9

申请日：

2021-06-23

公开(公告)号：

CN113707512A

公开(公告)日：

2021-11-26

发明(设计)人：

王晓晖班启沛张世博张翔王振营

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01J134

IPC分类号：

H01J912 H01J4006

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/34 申请日:20210623
2023-01-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J 1/34 申请公布日:20211126
2021-11-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有超晶格结构AlGaN/GaN光电阴极的制备方法 [P].

王晓晖 ;

张世博 ;

班启沛 ;

王振营 ;

张翔 .

中国专利 :CN113451087A ,2021-09-28

[2]

一种具有超晶格纳米线结构的GaN光电阴极 [P].

王晓晖 ;

王振营 ;

张翔 ;

班启沛 ;

张世博 .

中国专利 :CN113571390A ,2021-10-29

[3]

一种具有超晶格纳米线结构GaN光电阴极的制备方法 [P].

王晓晖 ;

张翔 ;

王振营 ;

班启沛 ;

张世博 .

中国专利 :CN113451088A ,2021-09-28

[4]

一种具有纳米管结构的GaN光电阴极及其制备方法 [P].

班启沛 ;

王晓晖 ;

张一帆 ;

班潇凡 ;

简贤 .

中国专利 :CN113964003A ,2022-01-21

[5]

具有非对称超晶格层的GaN基LED外延结构 [P].

冯猛 ;

刘恒山 ;

蔡睿彦 ;

陈立人 .

中国专利 :CN204668343U ,2015-09-23

[6]

一种分层掺杂的GaN光电阴极 [P].

王科 ;

柳裕 ;

邵鹏飞 ;

刘达伟 ;

姚齐 ;

陆海 ;

张荣 .

中国专利 :CN119725049B ,2025-12-19

[7]

一种分层掺杂的GaN光电阴极 [P].

王科 ;

柳裕 ;

邵鹏飞 ;

刘达伟 ;

姚齐 ;

陆海 ;

张荣 .

中国专利 :CN119725049A ,2025-03-28

[8]

具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极 [P].

刘磊 ;

田健 ;

刁煜 ;

陆菲菲 ;

夏斯浩 .

中国专利 :CN110416055A ,2019-11-05

[9]

一种具有改性纳米金字塔结构的GaN光电阴极及其制备方法 [P].

班启沛 ;

王晓晖 ;

李世权 ;

菅玮琦 ;

班潇凡 .

中国专利 :CN114927394A ,2022-08-19

[10]

一种基于超晶格结构的高电流密度增强型AlGaN/GaN HEMT [P].

夏元治 ;

黄明乐 .

中国专利 :CN118136660A ,2024-06-04

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