一种分层掺杂的GaN光电阴极

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411817490.4

申请日：

2024-12-11

公开(公告)号：

CN119725049A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

王科柳裕邵鹏飞刘达伟姚齐陆海张荣

申请人：

南京大学合肥国家实验室

申请人地址：

210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

IPC主分类号：

H01J1/34

IPC分类号：

代理机构：

江苏斐多律师事务所 32332

代理人：

张佳妮

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	授权	授权
2025-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 1/34申请日:20241211
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种分层掺杂的GaN光电阴极 [P].

王科 ;

柳裕 ;

邵鹏飞 ;

刘达伟 ;

姚齐 ;

陆海 ;

张荣 .

中国专利 :CN119725049B ,2025-12-19

[2]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

张益军 ;

王晓晖 .

中国专利 :CN201689902U ,2010-12-29

[3]

指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构 [P].

王晓辉 .

中国专利 :CN108242377A ,2018-07-03

[4]

变掺杂GaN纳米线阵列光电阴极及其制备方法 [P].

田健 ;

刘磊 ;

刁煜 ;

陆菲菲 .

中国专利 :CN108630510A ,2018-10-09

[5]

一种Delta掺杂GaN光电阴极结构及其制备方法 [P].

王晓辉 .

中国专利 :CN108242376A ,2018-07-03

[6]

基于场助指数掺杂结构的GaN纳米线阵列光电阴极 [P].

居莹 ;

陆菲菲 ;

刘磊 ;

田健 .

中国专利 :CN110223897B ,2019-09-10

[7]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极及制作方法 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

王晓晖 ;

张益军 .

中国专利 :CN101866976B ,2010-10-20

[8]

指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构及其制备方法 [P].

常本康 ;

李飙 ;

徐源 ;

王晓晖 ;

高频 ;

张俊举 ;

杜晓晴 .

中国专利 :CN102087937A ,2011-06-08

[9]

一种新型变组分变掺杂反射式MIS结构GaN光电阴极 [P].

董艳燕 ;

沈洋 ;

陈亮 ;

苏玲爱 .

中国专利 :CN204809181U ,2015-11-25

[10]

一种p型指数掺杂结构GaN光电阴极材料的生长方法 [P].

王晓晖 ;

张益军 ;

杨明珠 .

中国专利 :CN106449907B ,2017-02-22

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