在晶片解除卡紧期间减少晶片上颗粒数量的设备和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880021113.2

申请日：

2008-06-12

公开(公告)号：

CN101711425A

公开(公告)日：

2010-05-19

发明(设计)人：

赵尚俊姜肖恩汤姆·崔韩太竣

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L21304

代理机构：

上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244

代理人：

樊英如

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003581746 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2008800211132 申请日:20080612
2014-05-21	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701144606 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2008800211132 申请公布日:20100519
2010-05-19	公开	公开

共 13 条

[1]

在晶片解除卡紧期间减少晶片上颗粒数量的设备和方法 [P].

赵尚俊 ;

姜肖恩 ;

汤姆·崔 ;

韩太竣 .

中国专利 :CN103762193A ,2014-04-30

[2]

移除晶片上颗粒与金属颗粒的方法 [P].

林世和 ;

陈俊彰 ;

陈科维 ;

张仕宗 ;

陈朝隆 ;

施博仁 ;

林俞谷 ;

王英郎 .

中国专利 :CN1645570A ,2005-07-27

[3]

去除晶片的斜面边缘和背部上的膜的装置和方法 [P].

金允尚 ;

安德鲁·D·贝利三世 .

中国专利 :CN101273430B ,2008-09-24

[4]

在半导体晶片上形成电导接结构的方法 [P].

陈昶辉 .

中国专利 :CN1121061C ,1999-12-01

[5]

在晶片流水线环境中通过等离子处理室处理半导体晶片的方法和装置 [P].

罗伯特·P·曼达尔 .

中国专利 :CN1768415A ,2006-05-03

[6]

在脉冲RF偏置处理中测量和控制晶片电势的方法和装置 [P].

安德拉斯·库蒂 ;

斯蒂文·黄 ;

詹姆斯·C·维特尔 ;

格雷格·艾伦施泰因 ;

图安·恩戈 ;

王荣彬 .

中国专利 :CN101542857A ,2009-09-23

[7]

半导体刻蚀设备和碳化硅晶片的刻蚀方法 [P].

林源为 ;

谭晓宇 .

中国专利 :CN112921404B ,2021-06-08

[8]

用于可调节间隙等离子室中晶片区域压强控制的方法和设备 [P].

拉金德尔·德辛德萨 ;

詹姆斯·H·罗杰斯 .

中国专利 :CN101971711A ,2011-02-09

[9]

用于在冷冻干燥期间控制脱水的设备和方法 [P].

C·诺米内 .

中国专利 :CN101084406A ,2007-12-05

[10]

用于在基底上气雾剂沉积纳米颗粒的装置和方法 [P].

J·勒菲弗 ;

P·马朗方 .

中国专利 :CN108026304A ,2018-05-11