去除晶片的斜面边缘和背部上的膜的装置和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680035882.9

申请日：

2006-09-26

公开(公告)号：

CN101273430B

公开(公告)日：

2008-09-24

发明(设计)人：

金允尚安德鲁·D·贝利三世

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244

代理人：

樊英如

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-09-24	公开	公开
2010-11-03	授权	授权

共 50 条

[1]

用于从基片边缘去除副产物组的装置和方法 [P].

金允尚 ;

安德鲁·D·贝利三世 ;

衡石·亚历山大·尹 .

中国专利 :CN101370965A ,2009-02-18

[2]

晶片边缘的测量和控制 [P].

布莱克·克尔米 .

中国专利 :CN104137249A ,2014-11-05

[3]

晶片边缘的测量和控制 [P].

布莱克·克尔米 .

中国专利 :CN107742613A ,2018-02-27

[4]

晶片边缘抛光单元以及包括其的对晶片边缘抛光的装置和方法 [P].

张俊荣 .

中国专利 :CN111052333A ,2020-04-21

[5]

消除晶片背面边缘和缺口处的沉积物的晶片边缘接触硬件和方法 [P].

帕特里克·布莱琳 ;

拉梅什·钱德拉塞卡拉 ;

克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;

金成杰 ;

伊时塔克·卡里姆 ;

迈克·罗伯茨 ;

理查德·菲利普斯 ;

普鲁肖塔姆·库马尔 ;

阿德里安·拉沃伊 .

中国专利 :CN110892501A ,2020-03-17

[6]

消除晶片背面边缘和缺口处的沉积物的晶片边缘接触硬件和方法 [P].

帕特里克·布莱琳 ;

拉梅什·钱德拉塞卡拉 ;

克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;

金成杰 ;

伊时塔克·卡里姆 ;

迈克·罗伯茨 ;

理查德·菲利普斯 ;

普鲁肖塔姆·库马尔 ;

阿德里安·拉沃伊 .

美国专利 :CN110892501B ,2024-01-23

[7]

用于制造晶片的装置和方法 [P].

R·安扎隆 ;

N·法拉泽托 .

中国专利 :CN111146139A ,2020-05-12

[8]

用于去除容器的覆盖膜的装置和方法 [P].

W·迈尔 ;

U·克劳斯 ;

J·彼得斯 ;

C·塞尔斯 ;

K·乌尔赫尔 .

中国专利 :CN101378964A ,2009-03-04

[9]

去除掩模版上颗粒的装置和方法 [P].

何洪波 ;

戴韫青 ;

王剑 ;

赵彬 .

中国专利 :CN107942616A ,2018-04-20

[10]

晶片和对晶片进行倒角的装置和方法 [P].

小间喜久夫 ;

村井史朗 ;

加贺宗明 ;

高田道浩 .

中国专利 :CN1267085A ,2000-09-20

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