晶片边缘的测量和控制

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专利类型
发明
申请号
CN201710971375.6
申请日
2013-04-03
公开(公告)号
CN107742613A
公开(公告)日
2018-02-27
发明(设计)人
布莱克·克尔米
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
H01L2167
IPC分类号
H01L2168
代理机构
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
徐金国;赵静
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
晶片边缘的测量和控制 [P]. 
布莱克·克尔米 .
中国专利 :CN104137249A ,2014-11-05
[2]
晶片边缘抛光单元以及包括其的对晶片边缘抛光的装置和方法 [P]. 
张俊荣 .
中国专利 :CN111052333A ,2020-04-21
[3]
原位晶片温度的测量及控制 [P]. 
约翰·巴格特 ;
罗纳德·里斯 ;
彼得罗斯·科帕里迪斯 .
中国专利 :CN111771108A ,2020-10-13
[4]
通过测量气体温度测量和控制半导体晶片的温度 [P]. 
彼得·韦甘德 ;
生田倍粟 .
中国专利 :CN1212363A ,1999-03-31
[5]
用于在半导体晶片抛光时测量晶片特性的装置和方法 [P]. 
R·D·贝纳西 .
中国专利 :CN101495325A ,2009-07-29
[6]
用于测量晶片的装置和方法 [P]. 
S·韦斯 ;
S·密思 ;
C·魏格尔特 ;
T·贝克 .
德国专利 :CN118749058A ,2024-10-08
[7]
用于测量晶片的装置和方法 [P]. 
S·韦斯 ;
S·密思 ;
C·魏格尔特 ;
T·贝克 .
德国专利 :CN118786323A ,2024-10-15
[8]
用于测量晶片的装置和方法 [P]. 
T·贝克 ;
S·密思 ;
O·舒尔茨 ;
C·魏格尔特 ;
S·怀特 .
德国专利 :CN119022804A ,2024-11-26
[9]
去除晶片的斜面边缘和背部上的膜的装置和方法 [P]. 
金允尚 ;
安德鲁·D·贝利三世 .
中国专利 :CN101273430B ,2008-09-24
[10]
晶片边缘检测器 [P]. 
乐建华 ;
陈柏铭 ;
江明哲 ;
杨志深 .
中国专利 :CN1630055A ,2005-06-22