消除晶片背面边缘和缺口处的沉积物的晶片边缘接触硬件和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880047501.1

申请日：

2018-05-18

公开(公告)号：

CN110892501A

公开(公告)日：

2020-03-17

发明(设计)人：

帕特里克·布莱琳拉梅什·钱德拉塞卡拉克洛伊·巴尔达赛罗尼金成杰伊时塔克·卡里姆迈克·罗伯茨理查德·菲利普斯普鲁肖塔姆·库马尔阿德里安·拉沃伊

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠;张静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-17	公开	公开
2020-06-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20180518

共 50 条

[1]

消除晶片背面边缘和缺口处的沉积物的晶片边缘接触硬件和方法 [P].

帕特里克·布莱琳 ;

拉梅什·钱德拉塞卡拉 ;

克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;

金成杰 ;

伊时塔克·卡里姆 ;

迈克·罗伯茨 ;

理查德·菲利普斯 ;

普鲁肖塔姆·库马尔 ;

阿德里安·拉沃伊 .

美国专利 :CN110892501B ,2024-01-23

[2]

减少在晶片边缘的背面沉积 [P].

克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;

安德鲁·杜瓦尔 ;

瑞安·布拉基埃 ;

尚卡·斯瓦米纳森 .

中国专利 :CN105719989A ,2016-06-29

[3]

减少在晶片边缘的背面沉积 [P].

克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;

安德鲁·杜瓦尔 ;

瑞安·布拉基埃 ;

尚卡·斯瓦米纳森 .

中国专利 :CN110060941A ,2019-07-26

[4]

用于晶片边缘处理的方法和装置 [P].

金润相 ;

杰克·陈 ;

方同 ;

安德鲁·贝利三世 .

中国专利 :CN101584031B ,2009-11-18

[5]

用于控制晶片斜边/边缘上的沉积的喷头设计 [P].

迈克尔·J·雅尼基 ;

布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 .

中国专利 :CN115461493A ,2022-12-09

[6]

用于减少背面沉积和减少基片边缘处的厚度变化的系统和方法 [P].

赛沙·瓦拉达拉简 ;

尚卡·斯瓦米纳坦 ;

桑格伦特·桑普伦格 ;

弗兰克·帕斯夸里 ;

泰德·明歇尔 ;

阿德里安·拉瓦伊 ;

穆罕默德·萨布里 ;

科迪·巴尼特 .

中国专利 :CN105420685A ,2016-03-23

[7]

去除晶片的斜面边缘和背部上的膜的装置和方法 [P].

金允尚 ;

安德鲁·D·贝利三世 .

中国专利 :CN101273430B ,2008-09-24

[8]

用于从晶片背面及边缘移除聚合物的方法及设备 [P].

伊玛德·尤瑟夫 ;

安克·舍内尔 ;

阿吉特·巴拉克利斯纳 ;

南希·凡格 ;

英·瑞 ;

马丁·杰弗瑞·萨利纳斯 ;

沃特·R·梅丽 ;

沙希德·劳夫 .

中国专利 :CN101897007A ,2010-11-24

[9]

用于稳定晶片安置的可替换边缘环和使用该边缘环的系统 [P].

威廉·A·莫法特 ;

克雷格·瓦尔特·麦科伊 .

中国专利 :CN112368806A ,2021-02-12

[10]

用于控制晶片晶边/边缘上的沉积的承载环设计 [P].

迈克尔·J·雅尼基 ;

布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 .

中国专利 :CN115087758A ,2022-09-20

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